Пособие содержит описания физических процессов, возникающих в p-n переходе, виды пробоев p-n перехода, процессы в p-n переходах с туннельным эффектом, устройство, принципы работы, характеристики и параметры биполярных транзисторов и полевых транзисторов с управляющим p-n переходом. Приводятся описание схем экспериментальных исследований, лабораторные задания, методика обработки результатов эксперимента, вопросы для самопроверки.
Содержание:
Физические процессы в электронно-дырочных переходах Виды пробоев p?n?перехода Физические процессы в электронно-дырочных переходах с туннельным эффектом Устройство и принцип работы биполярных транзисторов Полевые транзисторы с управляющим p?n-переходом
Пособие содержит описания физических эффектов и их компонентов, классификацию веществ, модели энергетических зон и ковалентных связей, физическое описание собственного и примесного полупроводника, применение и характеристики однородных полупроводников. Рассмотрено равновесное и неравновесное состояние p-n перехода, токи в нем, виды пробоев, туннели ...
Изложены физические основы работы полупроводниковых приборов силовой электроники, их конструктивные особенности, характеристики и специфика применения. Подробно рассмотрены электрические параметры и варианты конструкций силовых диодов, биполярных и полевых транзисторов, силовых интегральных схем. Даны основы базовых технологических процессов произв ...
В учебнике рассмотрены физические принципы действия и структуры электронных приборов; образование и свойства p-n-перехода, контактные явления в нем; устройство, принцип действия, основные параметры, параметрические соотношения, и схемы включения полупроводниковых и фотоэлектронных приборов — диодов, тиристоров, биполярных и полевых транзисторов с p ...
В книге рассмотрены принцип действия, основные параметры и свойства полевых транзисторов. Дан широкий обзор применения полевых транзисторов в радиоэлектронной аппаратуре, приведены схемы приборов, выполненных на полевых транзисторах.
Рассмотрена теория биполярных транзисторов и полевых транзисторов с изолированным затвором. Кратко описаны электрические свойства полупроводников и теория p-n-перехода. Подробно проанализированы дрейфовые и бездрейфовые биполярные транзисторы: процессы переноса носителей в базовой области, статические характеристики, частотные свойства, импульсный ...
Данный материал НЕ НАРУШАЕТ авторские права никаких физических или юридических лиц. Если это не так - свяжитесь с администрацией сайта. Материал будет немедленно удален. Электронная версия этой публикации предоставляется только в ознакомительных целях. Для дальнейшего её использования Вам необходимо будет приобрести бумажный (электронный, аудио) вариант у правообладателей.
Название: 
Распечатать
