Изложены физические основы работы полупроводниковых приборов силовой электроники, их конструктивные особенности, характеристики и специфика применения. Подробно рассмотрены электрические параметры и варианты конструкций силовых диодов, биполярных и полевых транзисторов, силовых интегральных схем. Даны основы базовых технологических процессов производства полупроводниковых приборов силовой электроники и приведены применяемые в них материалы. Содержание учебного пособия соответствует курсам лекций, которые авторы читают в МГТУ им. Н. Э. Баумана. Для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлению подготовки специалистов 210600 "Радиоэлектронные системы и комплексы". Будет полезно аспирантам и инженерам, специализирующимся в данной области.
Оглавление
Глава 1. Физика полупроводниковых приборов 1.1. Полупроводники 1.2. Электронно-дырочный p-n-переход 1.3. Лавинный пробой электронно-дырочного p-n-перехода 1.4. Контакты металл-полупроводник и металл-диэлектрик-полупроводник Глава 2. Диоды 2.1. Принцип действия диода 2.2. Вольт-амперная характеристика диода 2.3. Основные электрические характеристики силовых диодов 2.4. Потери мощности в диоде 2.5. Конструкция корпусов силовых диодов и их охладителей 2.6. Охлаждающие устройства 2.7. Последовательное и параллельное соединение силовых диодов 2.8. Классификация силовых диодов 2.9. Применение силовых диодов и рекомендации по их выбору Глава 3. Тиристоры 3.1. Принцип действия силового тиристора 3.2. Вольт-амперная характеристика тиристора 3.3. Основные электрические характеристики силовых тиристоров 3.4. Цепь управления тиристором 3.5. Процессы коммутации тиристора 3.6. Рассеяние мощности в тиристоре (потери мощности) 3.7. Тепловые характеристики силового тиристора 3.8. Параллельное соединение тиристоров 3.9. Последовательное соединение тиристоров 3.10. Защита силовых тиристоров в электрических цепях 3.11. Классификация силовых тиристоров 3.12. Конструкции корпусов силовых тиристоров Глава 4. Биполярные транзисторы 4.1. Структура силового транзистора 4.2. Вольт-амперные характеристики БТ 4.3. Физика работы силового биполярного транзистора 4.4. Переходные процессы в БТ 4.5. Физические механизмы развития вторичного пробоя в мощных высоковольтных транзисторах 4.6. Области безопасной работы мощных биполярных транзисторов Глава 5. Полевые транзисторы 5.1. Структуры МОП ПТ 5.2. Вольт-амперные характеристики МОП ПТ 5.3. Физические принципы работы МОП ПТ 5.4. Динамические характеристики МОП ПТ 5.5. Предельные параметры, характеристики и область безопасной работы 5.6. Влияние температуры на характеристики МОП ПТ, параллельное включение МОП ПТ 5.7. Статические индукционные транзисторы Глава 6. Биполярные транзисторы с изолированным затвором 6.1. Структуры МОП БТ 6.2. Вольт-амперные характеристики МОП БТ 6.3. Физика работы МОП БТ 6.4. Динамические характеристики МОП БТ 6.5. Предельные характеристики и области безопасной работы МОП БТ 6.6. Состояние, тенденции и перспективы развития МОП БТ для устройств силовой электроники Глава 7. Силовые интегральные схемы 7.1. Типы силовых интегральных схем 7.2. Интеллектуальные интегральные схемы Глава 8. Полупроводниковые материалы для приборов силовой электроники 8.1. Общие сведения о материалах и процессах производства силовых полупроводниковых приборов 8.2. Базовые структурообразующие материалы силовой электроники и их свойства 8.3. Материалы для проведения процессов легирования в полупроводниках 8.4. Материалы для изготовления токоведущих соединений на кристалле Приложение. Терминологический словарь полупроводниковых приборов силовой электроники
Разместите ссылку на эту страницу в социальных сетях. Так о ней узнают тысячи человек:
Facebook
Twitter
Мой мир
Вконтакте
Одноклассники
Нашли ошибку? Сообщите администрации сайта: Выберите один из разделов меню и, если необходимо, напишите комментарий
За ложную информацию бан на месяц
Разместите, пожалуйста, ссылку на эту страницу на своём веб-сайте:
Код для вставки на сайт или в блог: Код для вставки в форум (BBCode): Прямая ссылка на эту публикацию:
Изложены физические принципы работы, рассмотрены технические характеристики современных силовых полупроводниковых приборов и силовых интегральных схем, являющихся основными компонентами силовых преобразователей электрической энергии для железнодорожного транспорта.
Изложены физические принципы работы, рассмотрены технические характеристики современных силовых полупроводниковых приборов и силовых интегральных схем, являющихся основными компонентами силовых преобразователей электрической энергии для железнодорожного транспорта.
Приведены базовые структуры мощных полупроводниковых приборов, их характеристики, методы управления и защиты. Рассмотрены основные режимы работы силовых ключей и особенности их применения в устройствах преобразования электрической энергии.
В учебном пособии излагаются основы силовой промышленной электроники. Рассмотрены основные виды современных силовых полупроводниковых приборов: диоды, транзисторы, тиристоры. Изложены принципы построения основных видов силовых полупроводниковых преобразователей — управляемых выпрямителей, регуляторов напряжения, преобразователей частоты, фильтроком ...
Данный материал НЕ НАРУШАЕТ авторские права никаких физических или юридических лиц. Если это не так - свяжитесь с администрацией сайта. Материал будет немедленно удален. Электронная версия этой публикации предоставляется только в ознакомительных целях. Для дальнейшего её использования Вам необходимо будет приобрести бумажный (электронный, аудио) вариант у правообладателей.