!_Расширенный поиск_!    <НА ГЛАВНУЮ>

Скачать "Спиридонов Н.С. - Основы теории транзисторов" бесплатно

Панель управления
Логин 
Пароль 
 


Основные категории

-- Книги
-- Аудиокниги
-- Журналы
-- Фильмы


Информация
Все вопросы и пожелания пишите на [email protected]
Правообладателям
Расширенный поиск
по сайту
Основы теории транзисторов : КНИГИ » Электроника, радиотехника
автор: MIHAIL62 | 13 октября 2018 | Просмотров: 329
 
Основы теории транзисторов     Название:   
    Автор:   
    Формат:   DJVU
    Размер:   11.5 Мб
    Год:   
    Качество:   Нормальное
    Язык:   Русский
    Страниц:   360

 
 

Рассмотрена теория биполярных транзисторов и полевых транзисторов с изолированным затвором. Кратко описаны электрические свойства полупроводников и теория p-n-перехода. Подробно проанализированы дрейфовые и бездрейфовые биполярные транзисторы: процессы переноса носителей в базовой области, статические характеристики, частотные свойства, импульсный режим работы, особенности транзисторов в интегральном исполнении. Кратко рассмотрены физические процессы, вольт-амперные характеристики и эквивалентные схемы МДП-транзисторов. Большое внимание уделено математическим моделям транзисторов. Рассчитана на инженерно-технических работников, занимающихся разработкой, производством и применением транзисторов, а также может быть полезной студентам вузов.

Содержание

Физические процессы в биполярных транзисторах
Носители зарядов в равновесном полупроводнике
Явления переноса носителей в полупроводнике
Электронно-дырочный переход
Устройство и принцип действия биполярного транзистора
Схемы включения
Коэффициент усиления по току
Технологические методы изготовления транзисторов
Математические модели биполярных транзисторов
Требования, предъявляемые к математическим моделям транзистора
Классификация моделей транзисторов
Модели транзисторов с параметрами цепи
Построение математических моделей транзистора на основе решения уравнений физических процессов
Модель транзистора, полученная прямым решением уравнения переноса
Модель с сосредоточенными параметрами (модель Линвилла)
Зарядоуправляемая модель
Модель Эберса — Молла
Анализ процессов в биполярном транзисторе на постоянном токе
Статические модели транзистора
Распределение плотности инжектированных носителей в базе транзистора в одномерном приближении
Распределение плотностей диффузионного и дрейфового токов в базовой области биполярного транзистора
Решение уравнения переноса носителей в базовой области биполярного транзистора при постоянном токе
Распределение плотности неравновесных носителей в пассивной области базы
Токи в пассивной области
Распределение плотности неосновных носителей в базе и токи через переходы при работе транзистора в активном режиме
Распределение плотности неосновных носителей в базе и токи через переходы при работе транзистора в режиме насыщения
Распределение плотности неосновных носителей в базе и токи через переходы при работе транзистора в режиме запирания
Статические характеристики транзисторов в схеме с общей базой
Статические характеристики транзисторов в схеме с общим эмиттером
Частотные свойства биполярного транзистора
Время пролета неосновных носителей в базе
Решение уравнения переноса носителей биполярного транзистора для переменного тока
Частотная зависимость коэффициента переноса носителей биполярного транзистора
Предельная частота
Частотная зависимость коэффициента усиления по току в схеме с общим эмиттером
Граничная частота усиления по току
Время переноса носителей через коллекторный переход и его влияние на частотные свойства транзистора
Максимальная частота генерации транзистора
Предельная частота усиления по току реального транзистора
Определение предельной частоты теоретической модели по известной предельной частоте реального транзистора
Малосигнальные модели биполярного транзистора
Методы составления электрических моделей транзисторов на малом сигнале
Частотные зависимости характеристических проводимостей внутреннего транзистора
П-образная эквивалентная схема внутреннего транзистора
Т-образная эквивалентная схема внутреннего транзистора
Омические сопротивления базы и коллектора
Барьерные емкости p-n-переходов и индуктивности выводов транзистора
Эквивалентные схемы биполярного транзистора, учитывающие внешние параметры
Переходные процессы в биполярных транзисторах
Динамические модели транзисторов для большого сигнала
Принцип действия транзисторного ключа
Стационарные состояния транзисторного ключа
Общие сведения о переходных процессах в транзисторе
Длительность задержки включения транзисторного ключа
Анализ переходных процессов в транзисторе методом прямого решения дифференциальных уравнений в частных производных
Анализ переходных процессов методом заряда
Нелинейная динамическая модель транзистора для большого сигнала при однополюсной аппроксимации частотной зависимости а
Особенности интегрального биполярного транзистора
Конструкция и технология изготовления интегральных транзисторов
Модели трехпереходного интегрального транзистора
Влияние паразитных связей на параметры интегральных транзисторов
Анализ процессов в транзисторе с участком тормозящего поля в базе
Особенности распределения примесей в транзисторах, изготовляемых многократной диффузией
Транзистор с тормозящим полем и базовой области
Коэффициент переноса носителей в транзисторе с участком тормозящего поля
Расчет времени пролета носителей и граничной частоты усиления дрейфового транзистора с участками тормозящего и ускоряющего полей в базовой области
Зависимость параметров транзистора от режима работы и температуры
Анализ процессов переноса носителей в базе транзистора при большом уровне инжекции на постоянном токе
Коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером при большом уровне инжекции
Зависимость граничной частоты усиления транзистора от уровня инжекции
Влияние температуры на параметры транзистора
Тепловые характеристики транзистора
Полевые транзисторы с изолированным затвором
Физические процессы в МДП транзисторах
Вольтамперные характеристики МДП транзистора
Параметры и эквивалентные схемы МДП транзисторов в режиме усиления малых сигналов
Работа МДП транзистора в переключающих устройствах









Сосчитайте:   89 + один – 3 =      и нажмите   






Разместите ссылку на эту страницу в социальных сетях. Так о ней узнают тысячи человек:





Нашли ошибку? Сообщите администрации сайта:
Выберите один из разделов меню и, если необходимо, напишите комментарий
   89 + один – 2 =    
За ложную информацию бан на месяц


Разместите, пожалуйста, ссылку на эту страницу на своём веб-сайте:

Код для вставки на сайт или в блог:      
Код для вставки в форум (BBCode):      
Прямая ссылка на эту публикацию:      


Помощь по работе с нашей библиотекой :

Программа для открытия файлов формата .PDF
Программа для открытия файлов формата .DJVU
Программа для открытия файлов формата .FB2

 
 
  • 0
 (голосов: 0)
Распечатать
 
 


Другие книги (журналы) по этой теме:
 
Схемотехника усилительных устройств | Перепелкин Д.А. | Электроника, радиотехника | Скачать бесплатно Перепелкин Д.А. - Схемотехника усилительных устройств

В учебном пособии в сжатой и доступной форме последовательно изложены теоретические и практические аспекты разработки и проектирования современных усилительных устройств. Приведены способы математического описания их работы, а также основы анализа и синтеза устройств с заданными техническими характеристиками и параметрами.
 
 
Основы силовой электроники. Силовые полупроводниковые приборы | Ковалев Ф.И., Усачев В.А.(ред.) | Электроника, радиотехника | Скачать бесплатно Ковалев Ф.И., Усачев В.А.(ред.) - Основы силовой электроники. Силовые полупроводниковые приборы

Изложены физические основы работы полупроводниковых приборов силовой электроники, их конструктивные особенности, характеристики и специфика применения. Подробно рассмотрены электрические параметры и варианты конструкций силовых диодов, биполярных и полевых транзисторов, силовых интегральных схем. Даны основы базовых технологических процессов произв ...
 
 
Схемотехника радиоэлектронных устройств | Кравец А. В. | Электроника, радиотехника | Скачать бесплатно Кравец А. В. - Схемотехника радиоэлектронных устройств

Схемотехника радиоэлектронных устройств — Соответствует программе курса «Схемотехника радиоэлектронных устройств» для студентов всех форм обучения по направлению «Радиотехника».
 
 
Информационно-измерительная техника. Часть 1 | Банкин С.А. | Электроника, радиотехника | Скачать бесплатно Банкин С.А. - Информационно-измерительная техника. Часть 1

Характерной особенностью развития науки и техники нашего века является развитие электроники. Без электронных устройств не может существовать ни одна отрасль промышленности, транспорта, связи, и т.д. Достижения электроники влияют не только на экономическое развитие нашего общества, но и на социальные процессы, образование, все шире применяется в быт ...
 
 



Данный материал НЕ НАРУШАЕТ авторские права никаких физических или юридических лиц.
Если это не так - свяжитесь с администрацией сайта.
Материал будет немедленно удален.
Электронная версия этой публикации предоставляется только в ознакомительных целях.
Для дальнейшего её использования Вам необходимо будет
приобрести бумажный (электронный, аудио) вариант у правообладателей.

Администрация сайта

Наверх