Развитие теории полупроводников и внедрение их в народное хозяйство — это одно из важнейших условий технического прогресса. Решение значительного числа задач неразрывно связано с применением полупроводников. Предлагаемая работа академика Абрама Федоровича Иоффе (1880-1960) посвящена физике полупроводников и их применению. Книга ставит своей целью изложить современное состояние учения о полупроводниках и познакомить читателя с физическими представлениями о происходящих в них процессах. Вопросы теории твердого тела рассмотрены лишь постольку, поскольку это казалось необходимым для понимания экспериментальных фактов. Читатель не найдет в книге критического анализа мнений отдельных авторов и встретит только отдельные ссылки на важнейшую литературу предмета. В ней описываются факты и представления так, как их понимает автор этой книги. Книга излагает преимущественно физические основы важнейших технических выходов и не останавливается на технологии изготовления приборов и их конструкциях. Такой характер книги позволил сделать ее менее громоздкой и более цельной, чем была бы научная монография по такому многостороннему вопросу, как полупроводники.
В учебнике рассмотрены модельные представления о механизме электропроводности, даны основы зонной теории полупроводников и теории колебаний кристаллической решетки, изложена статистика электронов и дырок.
Настоящее, уже третье издание «Основ физики полупроводников» должно заполнить нишу между учебниками по физике твердого тела и научными статьями путем детального объяснения электронных, колебательных, транспортных и оптических свойств полупроводников.
В книге подытожены результаты фундаментальных и прикладных исследований, выполненных за последние 10—15 лет в Институте полупроводников АН УССР. Все обзоры книги объединены вокруг одной из важнейших проблем современной физики твердого тела — взаимодействия электромагнитного излучения с полупроводниками в диапазоне частот от сантиметрового до рентге ...
В книге подытожены результаты фундаментальных и прикладных исследований, выполненных за последние 10—15 лет в Институте полупроводников АН УССР. Все обзоры книги объединены вокруг одной из важнейших проблем современной физики твердого тела — взаимодействия электромагнитного излучения с полупроводниками в диапазоне частот от сантиметрового до рентге ...
В последние годы возможности радиоэлектроники и полупроводниковой техники значительно расширились в связи с использованием сильно легированных (вырожденных) полупроводников. Они являются основой важнейших приборов: туннельных диодов, лазеров, датчиков Холла и многих других.
Данный материал НЕ НАРУШАЕТ авторские права никаких физических или юридических лиц. Если это не так - свяжитесь с администрацией сайта. Материал будет немедленно удален. Электронная версия этой публикации предоставляется только в ознакомительных целях. Для дальнейшего её использования Вам необходимо будет приобрести бумажный (электронный, аудио) вариант у правообладателей.
Название: 
Распечатать
