Название:Наноэлектроника. Теория и практика (2013) Автор:Борисенко В.Е., Воробьева А.И., Данилюк А.Л., Уткина Е.А. Формат:PDF Размер: 15 Мб Год:2013 Качество: Отличное Язык:Русский Страниц:366 ISBN:978-5-9963-2104-9
Подробно рассмотрены фундаментальные физические эффекты и электронные процессы, характерные для наноразмерных структур. Описаны принципы функционирования и типы наноэлектронных приборов для обработки информации. Приведены нанотехнологические подходы, позволяющие формировать приборные структуры наноэлектроники и спинтроники. Наряду с обновленным и расширенным теоретическим материалом предыдущего издания в данное издание включены практические задачи и контрольные вопросы для самопроверки, призванные закрепить изучаемый теоретический материал. Для студентов, магистрантов и аспирантов, профессионально ориентированных на карьеру в области современной электроники и нанотехнологий.
Содержание::
Об авторах Введение Физические основы наноэлектроники Фундаментальные явления В низкоразмерных структурах Квантовое ограничение Баллистический транспорт носителей заряда Туннелирование носителей заряда Элементы низкоразмерных структур Свободная поверхность и межфазные границы Сверхрешетки Моделирование атомных конфигураций Структуры с квантовым ограничением, создаваемым Внутренним электрическим полем Квантовые колодцы Модуляционно-легированные структуры Дельта-легированные структуры Структуры с квантовым ограничением, создаваемым внешним электрическим полем Структуры металл/диэлектрик/полупроводник Структуры с расщепленным затвором Методы формирования наноэлектронных структур Традиционные методы формирования пленок Химическое осаждение из газовой фазы Молекулярно-лучевая эпитаксия Электрохимическое осаждение металлов и полупроводников Электрохимическое оксидирование металлов и полупроводников Методы, основанные на использовании сканирующих зондов Физические основы Атомная инженерия Зондовые методы формирования наноструктур Нанолитография Электронно-лучевая литография Нанопечать Сравнение нанолитографических методов Саморегулирующиеся процессы Самосборка Самоорганизация в объемных материалах Самоорганизация при эпитаксии Формирование пленок Ленгмюра-Блоджетт Формирование и свойства наноструктурированных материалов Пористый кремний Пористый оксид алюминия Пористые оксиды тугоплавких металлов Перенос носителей заряда в низкоразмерных структурах и приборы на их основе Транспорт носителей заряда вдоль потенциальных барьеров Интерференция электронных волн Вольтамперные характеристики низкоразмерных структур Квантовый эффект Холла Электронные приборы на основе интерференционных эффектов и баллистического транспорта носителей заряда Туннелирование носителей заряда через потенциальные барьеры Одноэлектронное туннелирование Приборы на основе одноэлектронного туннелирования Резонансное туннелирование Приборы на основе резонансного туннелирования Спин-зависимый транспорт носителей заряда Гигантское магнитосопротивление Спин-контролируемое туннелирование Управление спинами носителей заряда в полупроводниках Эффект Кондо Спинтронные приборы Практикум Низкоразмерные структуры Квантовые колодцы Самоорганизация Проводимость низкоразмерных структур Одноэлектронное туннелирование Резонансное туннелирование Гигантское магнитосопротивление Спин-контролируемое туннелирование Приложения Нобелевские лауреаты Краткая история познания наномира Словарь терминов Рекомендуемая литература Предметный указатель
В первой главе данного учебника рассмотрены фундаментальные физические эффекты, имеющие место в наноструктурах и обусловленные их пониженной мерностью. Дана классификация элементарных и комбинированных низкоразмерных структур. Описаны подходы, позволяющие формировать такие структуры в полупроводниках.
В учебнике рассмотрены модельные представления о механизме электропроводности, даны основы зонной теории полупроводников и теории колебаний кристаллической решетки, изложена статистика электронов и дырок.
В учебном пособии излагаются физические и технологические основы наноэлектроники, в том числе принципы функционирования и характеристики наноэлектронных устройств на базе квантово-размерных структур: резонансно-туннельных, одноэлектронных и спинтронных приборов.
Описываются квантовые свойства носителей тока, в том числе в устройствах электроники, в которых в большей мере доступно наблюдение квантовых явлений и в которых они могут быть существенными. Квантовый вклад в транспорт носителей тока рассматривается с помощью волн плотности вероятности.
Данный материал НЕ НАРУШАЕТ авторские права никаких физических или юридических лиц. Если это не так - свяжитесь с администрацией сайта. Материал будет немедленно удален. Электронная версия этой публикации предоставляется только в ознакомительных целях. Для дальнейшего её использования Вам необходимо будет приобрести бумажный (электронный, аудио) вариант у правообладателей.
Название: 
Распечатать
