В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам и технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев. Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субмикронную область и особенностей технологических процессов на надежность и долговечность субмикронных МОП-транзисторов. Представлены данные о влиянии технологических процессов изготовления субмикронных СБИС (процессов плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит - на уровень выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий. Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей технических вузов.
Разместите ссылку на эту страницу в социальных сетях. Так о ней узнают тысячи человек:
Facebook
Twitter
Мой мир
Вконтакте
Одноклассники
Нашли ошибку? Сообщите администрации сайта: Выберите один из разделов меню и, если необходимо, напишите комментарий
За ложную информацию бан на месяц
Разместите, пожалуйста, ссылку на эту страницу на своём веб-сайте:
Код для вставки на сайт или в блог: Код для вставки в форум (BBCode): Прямая ссылка на эту публикацию:
В учебнике изложены теоретические основы технологии приборостроения. Рассмотрены вопросы теории и расчета точности производства, надежности и производительности в приборостроении. Даны принципы проектирования, включая автоматизированное проектирование технологических процессов с применением ЭВМ. Освещена сущность самих технологических процессов на ...
Изложены физические основы работы полупроводниковых приборов силовой электроники, их конструктивные особенности, характеристики и специфика применения. Подробно рассмотрены электрические параметры и варианты конструкций силовых диодов, биполярных и полевых транзисторов, силовых интегральных схем. Даны основы базовых технологических процессов произв ...
В книге приведены результаты исследований возможности получения субмикронных и наноструктурированных металлических материалов с использованием жидкофазных технологий, а также с использованием методов термомеханической обработки.Приведены результаты исследований физических свойств некоторых нанопорошковых материалов, особенностей их компактиро ...
Изложены основы проектирования технологических процессов механической обработки заготовок, методы получения заготовок, расчета операционных размеров и размеров исходных заготовок, вопросы технического нормирования и разработки операций, базирования заготовок, принципы расчета и пути обеспечения точности при разработке технологических процессов, а т ...
Обобщены сведения о прикладной электрохимии и гальванотехнике. Приведены данные о новейших процессах гальванотехники и гальванопластики. Рассмотрены особенности промышленного применения гальванических процессов, обеспечивающих надёжность и долговечность изделий.
Данный материал НЕ НАРУШАЕТ авторские права никаких физических или юридических лиц. Если это не так - свяжитесь с администрацией сайта. Материал будет немедленно удален. Электронная версия этой публикации предоставляется только в ознакомительных целях. Для дальнейшего её использования Вам необходимо будет приобрести бумажный (электронный, аудио) вариант у правообладателей.