Предметом данного учебного пособия является кремниевая наноэлектроника, под которой понимают электронику на основе кремниевых наноразмерных МОП-транзисторов. Книга предназначена, в первую очередь, студентам, специализирующимся в области микро- и наноэлектроники. Для лучшего восприятия изложение ведется по возможности в замкнутом виде от простого к сложному. Тем не менее предполагается наличие у читателей базовых знаний из курса общей физики и элементарных знаний физики полупроводников и полупроводниковых приборов. Пособие подготовлено на основе курса лекций «Физические основы наноэлектроники», читаемого автором на протяжении ряда лет для студентов кафедры микро- и наноэлектроники и Высшего физического колледжа Московского инженерно-физического института (Национального исследовательского ядерного университета; МИФИ).
Оглавление
Предисловие ... 3 Глава 1. Базисные физические уравнения ... 5 Глава 2. Особенности приборов КМОП-технологии ... 30 Глава 3. Структуры металл—окисел—полупроводник ... 54 Глава 4. Вольт-амперные характеристики МОПТ ... 85 Глава 5. Физические процессы в каналах МОПТ ... 105 Глава 6. Эффекты сильных электрических полей ... 129 Глава 7. Диффузионно-дрейфовая модель тока в МОПТ ... 143 Глава 8. Транзисторы технологии «кремний-на-изоляторе» ... 159 Глава 9. Моделирование транзисторов КНИ-технологий ... 174 Глава 10. Токи утечки в наноэлектронных структурах ... 188 Глава 11. Мезоскопические эффекты в наноэлектронных структурах ... 210 Литература ... 225 Приложения ... 233
В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники.
Подробно рассмотрены фундаментальные физические эффекты и электронные процессы, характерные для наноразмерных структур. Описаны принципы функционирования и типы наноэлектронных приборов для обработки информации. Приведены нанотехнологические подходы, позволяющие формировать приборные структуры наноэлектроники и спинтроники.
Рассмотрены основные направления развития современной электроники, использующей физические эффекты, имеющие место в наноструктурах. Проанализированы пути перехода от микро- к наноэлектронным приборам, приведены описания нанотехнологических процессов, элементов и приборов наноэлектроники и новых материалов, с которыми тесно связано развитие приорите ...
Изложены физические основы работы полупроводниковых приборов силовой электроники, их конструктивные особенности, характеристики и специфика применения. Подробно рассмотрены электрические параметры и варианты конструкций силовых диодов, биполярных и полевых транзисторов, силовых интегральных схем. Даны основы базовых технологических процессов произв ...
Данный материал НЕ НАРУШАЕТ авторские права никаких физических или юридических лиц. Если это не так - свяжитесь с администрацией сайта. Материал будет немедленно удален. Электронная версия этой публикации предоставляется только в ознакомительных целях. Для дальнейшего её использования Вам необходимо будет приобрести бумажный (электронный, аудио) вариант у правообладателей.
Название: 
Распечатать
