Приводится классификация элементов многоуровневой системы металлизации интегральных схем, рассматриваются особенности создания выпрямляющих и омических контактов в составе ИС. Освещаются вопросы взаимодействия тонких слоев металлов с кремниевой подложкой и образования силицидов. Рассматриваются различные варианты формирования медных межсоединений и приводятся сведения о современных технологиях создания многоуровневых систем металлизации УБИС с медными межсоединениями. Для студентов и аспирантов, специализирующихся в области микроэлектроники и полупроводниковых приборов. Может быть использовано специалистами, работающими в данной области.
Оглавление
Глава 1. Развитие систем металлизации кремниевых ИС. Основные проблемы Глава 2. Выпрямляющие контакты Глава 3. Омические контакты Глава 4. Формирование силицидных контактных слоев Глава 5. Пути повышения тепловой устойчивости систем металлизации. Принципы создания диффузионно-барьерных слоев Глава 6. Диэлектрические слои многоуровневой системы металлизации Глава 7. Особенности технологий многослойной системы металлизации с медными межсоединениями
Приводится классификация элементов многоуровневой системы металлизации интегральных схем, рассматриваются особенности создания выпрямляющих и омических контактов в составе ИС. Освещаются вопросы взаимодействия тонких слоев металлов с кремниевой подложкой и образования силицидов.
Дано представление об основных маршрутах изготовления и конструкциях изделий микроэлектроники на основе кремния. Рассмотрены основные процессы создания интегральных схем: химическая и плазмохимическая обработка материала; введение примесей в кремний; выращивание окисла кремния и его охлаждение; литография; создание металлических соединений и контак ...
Посвящена проблемам логического проектирования отдельных цифровых устройств на основе программируемых логических интегральных схем (ПЛИС). Показано место логического проектирования в общем процессе разработки цифровой системы, отмечаются особенности логического проектирования на основе ПЛИС.
В свете современного развития нанотехнологии и микромеханики рассмотрены процессы и системы вакуумно-плазменного травления, находящие широкое применение в производстве современных ультрабольших интегральных схем, изделий микроэлектромеханических систем и наносистем.
Изложены принципы действия, основные физические процессы, характеристики, параметры и модели основных полупроводниковых приборов (диоды, биполярные и полевые транзисторы, тиристоры) и электровакуумных приборов (лампы, электронно-лучевые трубки), а также полупроводниковых и электровакуумных приборов сверхвысоких частот (транзисторы, диоды Ганна, лав ...
Данный материал НЕ НАРУШАЕТ авторские права никаких физических или юридических лиц. Если это не так - свяжитесь с администрацией сайта. Материал будет немедленно удален. Электронная версия этой публикации предоставляется только в ознакомительных целях. Для дальнейшего её использования Вам необходимо будет приобрести бумажный (электронный, аудио) вариант у правообладателей.
Название: 
Распечатать
