Прогресс в микроэлектронике связывают с уменьшением линейных размеров функциональных элементов. Если их размеры становятся порядка нанометров, то существенными являются квантовые эффекты, принципиально меняющие физику работы. Созданием таких элементов и интегральных квантовых схем на их основе занимается нанотехнология. В монографии изложены физические основы зондовой нанотехнологии на базе сканирующих туннельных и атомно-силовых микроскопов, показаны основные достижения, обсуждаются проблемы, требующие решения.
Разместите ссылку на эту страницу в социальных сетях. Так о ней узнают тысячи человек:
Facebook
Twitter
Мой мир
Вконтакте
Одноклассники
Нашли ошибку? Сообщите администрации сайта: Выберите один из разделов меню и, если необходимо, напишите комментарий
За ложную информацию бан на месяц
Разместите, пожалуйста, ссылку на эту страницу на своём веб-сайте:
Код для вставки на сайт или в блог: Код для вставки в форум (BBCode): Прямая ссылка на эту публикацию:
Рассмотрены основные направления развития современной электроники, использующей физические эффекты, имеющие место в наноструктурах. Проанализированы пути перехода от микро- к наноэлектронным приборам, приведены описания нанотехнологических процессов, элементов и приборов наноэлектроники и новых материалов, с которыми тесно связано развитие приорите ...
Серия «Нанотехнологии», одна из самых популярных серий издательства, была основана в 2008 году. Она обобщает научный и практический опыт, накопленный в области естествознания и техники, связанной с изучением и использованием объектов величиной от 0,1 до сотен нанометров.Для студентов и аспирантов высших учебных заведений, специализирующихся п ...
Дан обзор номенклатуры основных серий аналоговых и цифровых интегральных схем, выпускаемых электронной промышленностью. Приведены методы их изготовления, параметры и характеристики, принципы работы базовых элементов. Показаны тенденции развития логических схем. Даны основные сведения о микропроцессорах и особенностях их применения.
В монографии рассмотрены теоретические проблемы синтеза и практического построения активных RC-фильтров и избирательных усилителей (ИУ) ВЧ- и СВЧ-диапазонов, реализуемых на основе усилителей тока по SiGe технологиям. Выполнен сравнительный анализ базовых архитектур ИУ и их основных функциональных узлов. Обсуждаются результаты математического анализ ...
Данный материал НЕ НАРУШАЕТ авторские права никаких физических или юридических лиц. Если это не так - свяжитесь с администрацией сайта. Материал будет немедленно удален. Электронная версия этой публикации предоставляется только в ознакомительных целях. Для дальнейшего её использования Вам необходимо будет приобрести бумажный (электронный, аудио) вариант у правообладателей.